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CJE長晶電子三極管(晶體管)的逆向電流/容許功率/帶寬積


關于晶體管ON時的逆向電流

關于晶體管ON時的逆向電流

在NPN晶體管中,基極 (B) 被偏置為正,集電極 (C) 被偏置為負,由發射極 (E) 流向C的是逆電流。

1. 不用擔心劣化和損壞,在使用上是沒有問題的

2. NPN-Tr的B和C對稱、和E極同樣是N型。
也就是說,逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。

通常動作 / 逆向動作

3. 逆向晶體管有如下特點。

  • hFE低(正向約10%以下)
  • 耐壓低 (7 to 8V 與VEBO一樣低)
    ↑通用TR的情況,除此之外,還有5V以下
    (突破此耐壓范圍,會發生hFE低下等特性的劣化,請注意。)
  • VCE(sat)及VBE(ON)的特性沒有太大的變化

關于封裝功率容許功

定義:是指由于輸入晶體管的電壓、電流產生的功耗在元件發熱時,結溫Tj為絕對最大額定值限定的溫度(Tj=150°C)時的功率。

計算方法

這里,PC、Ta、△Tx、Px可以由各自測定時的設定值或測定結果直接得出,但是只有Tj不能直接得出。因此,如下列出使用VBE的測試方法。

VBE測定法 硅晶體管的情況下 基極-發射極間電壓:VBE根據溫度變化。

圖1. 熱電阻測量電路
圖1. 熱電阻測量電路

由此,通過測定VBE,可以推測結溫。
通過圖1的測定電路,對晶體管輸入封裝功率:PC(max)。
(假設1W晶體管的情況下,輸入條件為VCB=10V IE=100mA)

如圖2:

  • 測定VBE的初始值VBE1
  • 對晶體管輸入功率,使PN結熱飽和
  • VBE的后續值:測定VBE2

從這個結果得出△VBE=VBE2-VBE1。

這里,硅晶體管根據溫度具有一定的溫度系數。約為ー2.2mV/oC。
(達林頓晶體管為ー4.4mV/oC)
因此,根據由輸入功率得出△VBE,可以由以下算式得出上升的結溫。

圖2. 進度表
圖2. 進度表

fT:增益帶寬積、截止頻率

fT:增益帶寬積指晶體管能夠動作的極限頻率。
所謂極限,即基極電流對集電極電流的比為1(即hFE=1)的情況。

頻率特性

提高基極輸入頻率,hFE變低。
這時,hFE為1時的頻率叫做fT(增益帶寬積)。
fT指在該頻率下能夠工作的極限值。
但是,實際使用時能夠動作的只有fT值的1/5 to 1/10左右。

測定條件如下
f: 根據測定裝置而定。為測定的標準頻率。
VCE:任意設定。我公司為一般值。
IC:任意設定。我公司為一般值。

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